Número de Producto del Fabricante:
TSM1NB60SCT B0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM1NB60SCT B0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Inventario:
12899688
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TSM1NB60SCT B0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
500mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
138 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
TSM1NB60SCT B0GDKR
TSM1NB60SCT B0GDKRINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0GTR-DG
TSM1NB60SCTB0GCTINACTIVE
TSM1NB60SCTB0G
TSM1NB60SCT B0GCT
TSM1NB60SCT B0GCTINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0G-DG
TSM1NB60SCT B0GCT-DG
TSM1NB60SCT B0GDKR-DG
TSM1NB60SCTB0GDKRINACTIVE
TSM1NB60SCT B0GTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STQ1HNK60R-AP
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
7445
NÚMERO DE PIEZA
STQ1HNK60R-AP-DG
PRECIO UNITARIO
0.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STQ2HNK60ZR-AP
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
9835
NÚMERO DE PIEZA
STQ2HNK60ZR-AP-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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